基于U型弯曲光纤模间干涉的折射率传感

研究了去包层U型弯曲光纤的折射率传感特性.首先根据模间干涉理论,分析了U型光纤传感器的传感原理,指出干涉谱损耗峰波长与环境折射率和弯曲半径有关.利用单模光纤(SM-28)实验制作不同曲率半径的U型光纤传感器,把传感器的U型部分浸入不同折射率的液体中,研究其折射率传感特性.当U型光纤曲率半径为2.5~5.0mm时,传输光谱中均能观察到明显的模间干涉现象;当液体折射率从1.30RIU变到1.43RIU时,光谱损耗峰波长发生红移,且弯曲半径越大,折射率传感灵敏度越高;在曲率半径为5mm时灵敏度为207nm/RIU(折射率1.30~1.40RIU)和1 220nm/RIU(折射率1.40~1.42RIU).干涉峰的波形参量(半高宽、对比度)决定于包层模和纤芯导模之间的比例,当曲率半径为4mm时,损耗峰半高宽最小达3.2nm.综合半高宽和灵敏度两个参量,得出曲率半径4.5mm的U型光纤传感器品质因素最高,分别为43.1RIU-1(折射率1.30~1.40RIU)和191.2RIU-1(折射率1.40~1.42RIU),可直接由SM-28单模光纤制成,且制作工艺简单、成本低、机械强度高不需要任何特殊处理,具有很好的应用前景.     

反对称分子动力学模型中的冻结概念（英文）

给出了反对称分子动力学模型(AMD)计算的50 Me V/nucleon112Sn+112Sn反应的分析结果。该研究是反对称分子动力学模型中统计冻结概念的部分研究结果。利用自洽法结合修正的Fisher模型,提取了发射源的温度和密度分别为T=(6.1±0.2)Me V,ρ/ρ0=0.69±0.03。通过与AMD模型计算的系统在时间演化过程中的最大密度比较,得出碎片发射源的密度远小于系统的最大密度。利用自洽法提取的温度和密度与35 Me V/nucleon的40Ca+40Ca反应系统及40 Me V/nucleon的64Zn+112Sn反应系统所提取的温度和密度非常接近。该结果表明反对称分子动力学模型中,系统在中等质量碎片形成时刻处于统计冻结体积。     

Xe~(26+)入射Au靶离子L壳层空穴的产生与退激辐射

基于两体碰撞过程的能量与角动量守恒,推导出Xe26+离子与Au原子碰撞过程,单离子的L壳层空穴产额与离子动能的理论关系.实验测定了动能2.4-3.6Me V的Xe26+离子入射Au靶,产生的Xe的L-X射线谱,获得了射线产额与离子入射动能的实验关系.结果表明,碰撞过程产生Xe L壳层空穴的同时,产生了一定数目的 M壳层空穴,导致L壳层空穴平均荧光产额显著变大,在实验能量范围,空穴产额的理论值与射线产额的实验值存在较好的一致性.     

Application of the DRS4 chip for GHz waveform digitizing circuits

A new fast waveform sampling digitizing circuit based on the domino ring sampler (DRS), a switched capacitor array (SCA) chip, is presented in this paper, which is different from the traditional waveform digitizing circuit constructed with an analog to digital converter (ADC) or time to digital converter. A DRS4 chip is used as a core device in our circuit, which has a fast sampling rate up to five gigabit samples per second (GSPS). Quite satisfactory results are acquired by the preliminary performance test for this circuit board. Eight channels can be provided by one board, which has a 1 V input dynamic range for each channel. The circuit linearity is better than 0.1%, the noise is less than 0.5 mV (root mean square, RMS), and its time resolution is about 50 ps. Several boards can be cascaded to construct a multi-board system. The advantages of high resolution, low cost, low power dissipation, high channel density and small size make the circuit board useful not only for physics experiments, but also for other applications.     

维纳的哥廷根情缘及其与玻恩的彼此评价

维纳是20世纪著名的数学家、控制论创立者.哥廷根大学对维纳的学术生涯影响巨大.玻恩是20世纪伟大的物理学家.维纳与玻恩有过一段合作的经历.在维纳看来,这是值得骄傲的研究,但是在玻恩看来这一合作充满遗憾.维纳一直对于玻恩评价极高,但是玻恩对维纳的评价,正如他自己所说,存在偏见、有失公允.     

双通道编码高速存储系统设计

航天事业对存储系统的存储速度及保密性的要求在不断提高,针对这些要求提出了双通道编码高速存储系统的设计。设计了一种以RS-422和LVDS为通信手段,双端口RAM为缓存介质,双片选交替双平面混编存储为技术,混合编码存储为特点,K9WBG08U1M芯片为存储核心的高速、大容量的存储系统。双通道编码高速存储系统解决了双路数据存储速率低的问题。最后,对系统采集的数据进行科学分析及图像还原,验证了高速存储系统的可靠性。     

直杆动力屈曲问题研究进展

杆做为最基本的结构单元，其屈曲问题一直受到人们的极大关注，本文就这一研究领域的若干基本问题、处理方法、目前取得的成果以及人们共同关心的一些问题做一个简要的总结和评述     

随机连续杆纵向振动系统的频率可靠性分析

根据随机连续杆纵向振动系统的固有频率与激振频率差的绝对值不超过规定值的关系准则，定义了随机连续杆纵向振动系统的可靠性模式和系统的可靠度，提出了避免共振的频率可靠性分析方法，对随机连续系统共振问题的准失效分析方法进行了探索。     

特征向量导数计算的改进直接扰动法

本文对特征向量导数计算的一种“直接扰动法”进行了改进，使之精度进一步提高，本文不仅从理论上，而且算例结构也证实了这种改进是合理而有效的。     

TiC-Ni系高温自润滑金属陶瓷的研究

本文利用中频热压烧结法制备了TiC-Ni、TiC-Ni-Mo和TiC-Ni-MO-WC3种高温自润滑性金属陶瓷材料。栓-盘摩擦磨损试验结果表明,TiC-Ni-Mo金属陶瓷的高温自润滑性最好,其在600℃时的摩擦系数为0.19,磨损率为1.14×10~(-14)m~3/N·m,偶件(材料W18Cr4V,HRC62)的磨损率为0.069×10~(-14)m~3/N·m。作者指出,这类材料的高温自润滑性与其摩擦表面上生成的氧化膜的组成和结构相关。此外,本文还就Mo、WC对材料物理机械性能的影响进行了探讨。